Иоффе Абрам

(29.X.1880 – 14.X.1960)

 

Советский физик, организатор физических исследований в СССР, академик (с 1920 г). Родился в г.Ромны, на Украине в семье купца 2-ой гильдии. В 1902 году окончил Петербургский технологический институт.

В 1905 году А. Иоффе защищает докторскую диссертацию с высшим отличием и, отклонив лестные предложения продолжать работать у Рентгена, возвращается в Петербург. Здесь он трудится на кафедре физики Политехнического института, активно включившись в преподавательскую деятельность. Иоффе читает курс термодинамики в Горном институте, теорию излучения в Университете, общую физику на курсах П. Ф. Лесгафта. В это же время он становится деятельным членом Отделения физики Русского физико-химического общества, сотрудничая с выдающимся голландским физиком-теоретиком П. Эренфестом, работавшим тогда в Петербурге. При этом он не прекращает исследования, начатые еще в Мюнхене. К этому периоду относятся его работы по изучению рентгеновских лучей и электрических свойств диэлектриков, элементарного фотоэлектрического эффекта и магнитного поля катодных лучей, механической прочности твердых тел и способов ее повышения.

Широкий кругозор и способность предвидения, выдающийся талант ученого и организатора дали Иоффе возможность осуществить реформу физики в нашей стране, воспитать большой отряд физиков, показать значение физики для техники и народного хозяйства. Из школы Иоффе вышли известные советские физики, многие из которых сами стали основателями собственных школ: академики А. П. Александров, А. И. Алиханов, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, И. В. Обреимов, Н. Н. Семенов, Ю. Б. Харитон, чл.-кор. АН СССР Я. И. Френкель, акад. АН УССР А. К. Вальтер, В. Е. Лашкарев, А. И. Лейпунский, К. Д. Синельников и многие др. До 1954 г. Иоффе был директором Физико-технического института АН СССР, а затем возглавил Институт полупроводников АН СССР.

Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад был сделан им в физику и технику полупроводников, он один из первых указал основные направления применения полупроводников. Уже в докторской диссертации, выполненной в лаборатории Рентгена в Мюнхене, Иоффе проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах, за что ему была присуждена степень доктора с высшим отличием. Классическими стали его исследования пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, он обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Иоффе первый выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов.

Максимальное приближение к практике результатов, достигнутых в фундаментальных областях знания, широчайшее распространение этих знаний — таким было стремление Абрама Федоровича, воплощенное, в том числе, в создании по всей стране исследовательских учреждений физико-технического профиля — в Харькове, на Урале, в Сибири. Постепенно физика из «столичной» науки становилась общесоюзной. Первыми сотрудниками этих институтов были бывшие физтеховцы и выпускники Физмеха.

Особенно яркой была инициатива Иоффе в создании знаменитой Лаборатории N 2 (будущего Института атомной энергии, а ныне Курчатовского центра), где в годы войны начались работы по созданию ядерного оружия. Не менее важным стало и предложение Абрама Федоровича поставить во главе этих исследований одного из своих учеников — Игоря Васильевича Курчатова.

Сейчас в Физико-техническом институте работают ученики учеников Абрама Федоровича — его научные «внуки» и «правнуки», а его идеи в области образования воплощаются ныне в подготовке исследователей-физиков прямо со школьной скамьи на базе Научно-образовательного центра института.

В последние годы жизни А. Ф. Иоффе возглавлял Институт полупроводников (в 1972 году этот институт влился в Физтех).

Многогранная деятельность А. Ф. Иоффе была отмечена многими наградами и отличиями. В 1918 году он избирается членом-корреспондентом, а в 1920 — действительным членом Академии наук, в 1933 году ему присваивается звание заслуженного деятеля науки, а в 1955 — звание Героя социалистического труда.

Он был избран почетных членом многих национальных академий, институтов и обществ. Его научные работы были удостоены Сталинской премии (1942) и Ленинской премии (1961; посмертно).

 

Использован материал c сайтов "Энциклопедия электродинамики" , "Википедии" и "Физико-технического института имени А.Ф.Иоффе"